מספר מוצר של יצרן:
TSM080NB03CR RLG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM080NB03CR RLG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 59A (Tc) 3.1W (Ta), 55.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
מלאי:
5000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13270750
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM080NB03CR RLG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Ta), 59A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1097 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PDFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
TSM080
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1801-TSM080NB03CRRLGTR
1801-TSM080NB03CRRLGCT
1801-TSM080NB03CRRLGDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM052NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
IXTA100N04T2-TRL
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IXTT38N30L2HV
MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV